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  • nmos管-增強(qiáng)型nmos管工作原理作用詳解
    • 發(fā)布時間:2019-10-17 15:20:42
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    增強(qiáng)型NMOS管的工作原理
    當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接(即NMOS管的柵/源電壓VGS=O)時,源區(qū)(N+型)、襯底(P型)和漏區(qū)(N+型)形成兩個背靠背的PN結(jié),不管NMOS管的漏/源電壓VDS的極性如何,其中總有一個PN結(jié)是反偏的,所以NMOS管源極與漏極之間的電阻主要為PN結(jié)的反偏電阻,基本無電流流過,即NMOS管的漏極電流ID為0。例如,如果NMOS管的源極S與襯底相連,并接到系統(tǒng)的最低電位,而漏極接電源正極時,漏極和襯底之間的PN結(jié)是反偏的,此時漏、源之間的電阻很大,沒有形成導(dǎo)電溝道
    若在NMOS管的柵/源之間加上止向電壓VGS(即NMOS管的柵極接高電位,源極接低電位),則柵極和P型襯底之間就形成了以柵氧(即二氧化硅)為介質(zhì)的平板電容器。在正的柵源電壓作用下,介質(zhì)中產(chǎn)生了一個垂直于硅片表面的由柵極指向P型襯底的強(qiáng)電場(由于絕緣層很薄,即使只有兒伏的柵/源電壓VGS,也可產(chǎn)生高達(dá)105~106V/cm數(shù)量級的強(qiáng)電場),這個強(qiáng)電場會排斥襯底表面的空穴而吸引電子,因此,使NMOS管柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,留下不能移動的受主離子(負(fù)離子),形成了耗盡層,同時P型襯底中的少子(電子)被吸引到襯底表面,如圖1.3(a)所示。當(dāng)正的柵/源電壓達(dá)到一定數(shù)值時,這些電子在
    柵極附近的P型硅表面便形成了一個N型薄層,通常把這個在P型硅表面形成的N型薄層稱為反型層,這個反型層實際上就構(gòu)成了源極和漏極間的N型導(dǎo)電溝道,如圖1.3(b)所示。
    由于它是柵/源止電壓感應(yīng)產(chǎn)生的,所以也稱感生溝道。顯然,柵/源電壓VGs止得越多,則作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng),吸引到P型硅表面的電子就越多,感應(yīng)溝道(反型層)將越厚,溝道電阻將越小。
    感應(yīng)溝道形成后,原來被P型襯底隔開的兩個N+型區(qū)(源區(qū)和漏區(qū))就通過感應(yīng)溝道連接在一起。因此,在正的漏/源電壓作用下,電子將從源區(qū)流向漏區(qū),產(chǎn)生了漏極電流ID。一般把在漏源電壓作用下開始導(dǎo)電時的柵/源電壓叫做NMOS管的閾值電壓(或開啟電壓)Vth。
    當(dāng)NMOS管的柵/源電壓VGS大于等于Vth時,外加較小的漏/源電壓VDS時,漏極電流ID將隨VDS上升迅速增大,此時為線性區(qū)(也可稱為三極管區(qū)),但由于溝道存在電位梯度,即NMOS管的柵極與溝道間的電位差從漏極到源極逐步增大,因此所形成的溝道厚度是不均勻的,靠近源端的溝道厚,而靠近漏端的溝道薄。
    當(dāng)VDS增大到一定數(shù)值,即VGD=Vth時,靠近漏端的溝道厚度接近為o,即感應(yīng)溝道在漏端被夾斷,如圖1.3(c)所示:VDS繼續(xù)增加,將形成一夾斷區(qū),且夾斷點向源極靠近,如圖1.3(d)所示。溝道被夾斷后,VDS上升時,其增加的電壓基本上加在溝道厚度為零的耗盡區(qū)上,而溝道兩端的電壓保持不變,所以ID于飽和而不再增加,此時NMOS管工作在飽和區(qū),在模擬集成電路巾飽和區(qū)是NMOS管的主要工作區(qū)。要注意,此時溝道雖產(chǎn)生了災(zāi)斷,但由于漏極與溝道之間存在強(qiáng)電場,電子在該電場作用下被吸收到漏區(qū)而形成了從源區(qū)到漏區(qū)的電流。

    nmos管
    另外,當(dāng)VGS增加時,由丁感應(yīng)溝道變厚,溝道電阻減小,飽和漏極電流會相應(yīng)增大。
    若Vns人于某一擊穿電壓BVus(二極管的反向擊穿電壓),漏極與襯底之間的PN結(jié)發(fā)生反向擊穿,ID將急劇增加,進(jìn)入雪崩區(qū),漏極電流不經(jīng)過溝道,而直接由漏極流入襯底。
    注意與雙極型晶體管相比,一個MOS管只要形成了導(dǎo),t1溝道,即使在無電流流過時也可以認(rèn)為是開通的。
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