場效應(yīng)管的作用：
場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點(diǎn)，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競爭者。
三極管和場效應(yīng)管的主要區(qū)別在于三極管的放大或者開關(guān)功能依賴基極的電流分量。場效應(yīng)管的放大和開關(guān)功能依賴于柵極的電壓分量。其他還有開關(guān)時(shí)間特性的區(qū)別，一般晶體三極管大電流的開關(guān)速度遠(yuǎn)比不上場效應(yīng)管。
三極管是靠載流子的運(yùn)動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動，在此pn結(jié)處會感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場（即內(nèi)建電場），當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場大于內(nèi)建電場時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會有電荷存在，此時(shí)如果集成電極-發(fā)射極加正電壓，在電場作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動（實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過基區(qū)到達(dá)集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復(fù)合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動，而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動，此過程類似一個(gè)雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過程需要時(shí)間。
總結(jié)：
1．MOSFET溫度穩(wěn)定性好，而三極管受溫度影響較大，因此環(huán)境溫度變化較的場合下，采用MOSFET更合適。
2．用來放大信號時(shí)，三極管輸入端的發(fā)射結(jié)為正向偏置。輸入阻抗較小。而MOSFET輸入阻抗極高，因此MOSFETＴ放大級對前級的放大能力影響極小。
3．MOSFET的輸入電阻極高，所以一旦柵極上感應(yīng)少量電荷。就管。因此使用ＭＯＳ管時(shí)要特別小心。尤其是焊接ＭＯＳ管時(shí)，電烙鐵外殼要良好接地。管子存放時(shí)，應(yīng)使ＭＯＳ管柵極與源極短接，避免柵極懸空。
4．三極管由于發(fā)射區(qū)和集電區(qū)結(jié)構(gòu)上的不對稱，所以正常使用時(shí)．發(fā)射極和集電極是不能互換的。而MOSFET在結(jié)構(gòu)上是對稱的。所以源極和漏極可以互換使用。但要注意。分立的MOSFET．有時(shí)已將襯底和源極在管內(nèi)短接，源極和漏極就不能互換使用了。
5．場效應(yīng)管放大電路最大最突出的特點(diǎn)是．共源、共漏和共柵電路的輸入電阻高于相應(yīng)的共發(fā)射極、共集電極和共基極電路的輸入電阻。此外，場效應(yīng)管還有噪聲低、溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)于三極管的特點(diǎn)，而且便于集成。
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