首先，開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線(xiàn)電壓和導(dǎo)通電流下，IGBT每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗，開(kāi)通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。
IGBT的開(kāi)關(guān)頻率越高，開(kāi)關(guān)次數(shù)就越多，損耗功率就也高，那乘以散熱器的熱阻后，IGBT的溫升也越高，如果溫度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。具體你們可以看我之前發(fā)的關(guān)于IGBT熱設(shè)計(jì)的文章。
但是損耗是和電壓電流成正比的，如下圖所示。
所以假如用一個(gè)很大標(biāo)稱(chēng)電流的IGBT工作在一個(gè)小的電流下，那這個(gè)大IGBT的開(kāi)關(guān)損耗功率和導(dǎo)通損耗功率就都會(huì)減小，那么這個(gè)大IGBT就更有可能用在更高的開(kāi)關(guān)頻率。
很多新手有個(gè)誤區(qū)，他們?cè)?huà)是這么說(shuō)的，“小管子發(fā)熱小，大管子發(fā)熱大，你看那大IGBT模塊發(fā)熱功率都上千瓦，那分離IGBT芯片才幾瓦。。。”
其實(shí)他剛好說(shuō)反了，在同一個(gè)電壓等級(jí)下同樣技術(shù)的芯片，標(biāo)稱(chēng)電流越大的說(shuō)明導(dǎo)通電阻越小，因此才能通更大的電流啊。
總而言之，IGBT的開(kāi)關(guān)頻率最高到多少，取決于在此工況下IGBT的結(jié)溫會(huì)不會(huì)超上限。只要你有錢(qián)，巴菲特都能陪你吃飯，所以只要不惜成本3300V也能工作在50kHz硬開(kāi)關(guān)。。。你不信？有圖有真相。
所以說(shuō)別再問(wèn)我IGBT最高的最高開(kāi)關(guān)頻率了，只要你有錢(qián)，隨便超頻。
雖然有錢(qián)可以為所欲為，但是違反物理極限的事情還是有錢(qián)也做不到的。那什么是物理極限呢？那就是IGBT的開(kāi)關(guān)速度。
剛才說(shuō)了開(kāi)關(guān)頻率是IGBT在一秒內(nèi)開(kāi)關(guān)的次數(shù)，而且IGBT每個(gè)開(kāi)關(guān)周期里還有占空比，比如說(shuō)1kHz開(kāi)關(guān)頻率，50%占空比，那控制型號(hào)發(fā)出的方波從開(kāi)通到關(guān)斷的時(shí)間就是0.5毫秒。如下圖。
但是你以為你發(fā)了0.5毫秒的方波，IGBT就能同步開(kāi)0.5毫秒？不能，IGBT很遲緩，一般同等技術(shù)水平下的IGBT芯片，標(biāo)稱(chēng)電壓越高的IGBT越遲緩。
這個(gè)遲緩時(shí)間就是開(kāi)關(guān)延遲，定義方法如下圖。
一般都是關(guān)斷延遲比開(kāi)通延遲長(zhǎng)，所以一個(gè)半橋上下橋臂的IGBT在開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換時(shí)，需要一個(gè)死區(qū)時(shí)間，就是上下兩個(gè)IGBT同時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài)。否則就會(huì)出現(xiàn)上下橋臂直通短路的情況。
死區(qū)時(shí)間主要取決于關(guān)斷延遲比開(kāi)通延遲長(zhǎng)了多少（當(dāng)然還要有冗余）。
一般常見(jiàn)的3300V IGBT的死區(qū)時(shí)間都在10us以上。
以上文中的例子，50kHz對(duì)應(yīng)一個(gè)周期是20us，假設(shè)是半橋DCDC，占空比50%，那一次開(kāi)通時(shí)間只有10us，再減去10us死區(qū)時(shí)間，這個(gè)IGBT就不用開(kāi)通了，只能永遠(yuǎn)保持關(guān)斷狀態(tài)。
因此這就是IGBT的物理極限，關(guān)斷延遲和死區(qū)時(shí)間導(dǎo)致的頻率極限。但是這個(gè)極限比實(shí)際應(yīng)用的開(kāi)關(guān)頻率高出很多，因此平時(shí)并沒(méi)有意義去討論這個(gè)問(wèn)題，除非你真的要用3300V的IGBT工作在50kHz。（在大部分實(shí)際應(yīng)用中3300V的IGBT開(kāi)關(guān)頻率都是1kHz左右，超過(guò)2kHz就非常少見(jiàn)了。）
最后我們?cè)谂e一個(gè)實(shí)際中會(huì)碰到的有參考價(jià)值的例子。
例如高速電機(jī)的應(yīng)用，假設(shè)電機(jī)額定轉(zhuǎn)速在10萬(wàn)轉(zhuǎn)以上，一對(duì)極，折算成電機(jī)驅(qū)動(dòng)頻率約為2000Hz，逆變器直流母線(xiàn)電壓600V，額定扭矩對(duì)應(yīng)的線(xiàn)電流有效值約為30A，水冷散熱器。
在高速電機(jī)應(yīng)用中，大部分是無(wú)刷直流的控制方法，但有寫(xiě)特殊場(chǎng)合為了保證控制精度和扭矩穩(wěn)定性，需要采用SVPWM的控制方法，這時(shí)就需要逆變器有很高的開(kāi)關(guān)頻率了，而且開(kāi)關(guān)頻率越高，紋波越小，電機(jī)的扭矩就約平穩(wěn)，我們假設(shè)開(kāi)關(guān)頻率要不低于30kHz。
現(xiàn)在我們開(kāi)始選型，根據(jù)逆變器的體積和成本考慮，我們先初選FS75R12KT4和FS100R12KT4，標(biāo)稱(chēng)電流分別為75A和100A的兩款三相全橋IGBT模塊。
這個(gè)封裝的IGBT模塊，水冷散熱器的典型熱阻為0.072K/W，進(jìn)口水溫60°C。在散熱條件確定后，我們就可以開(kāi)始仿真計(jì)算了。
我們把結(jié)溫上限設(shè)為145度，留5度的安全余量。
可以得到一個(gè)結(jié)溫在145度下，輸出電流和開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系，如下圖所示。
黑色是100A的模塊，紅色是75A模塊，在30~40kHz的頻率區(qū)間，100A的模塊能比75A的模塊多輸出約10A的電流有效值。在30A輸出電流下，100A模塊的開(kāi)關(guān)頻率可以比75A模塊高15kHz以上。當(dāng)然你可以選個(gè)更大的FS150R12KT4，工作到100kHz，不過(guò)這時(shí)候你就要考慮下1200V一般3us的死區(qū)時(shí)間可能會(huì)吃掉一半的PWM波，所以這時(shí)候頻率又被開(kāi)關(guān)速度給限制了。
所以回到我們的主題，IGBT的頻率可以有多高？雖然極限取決于死區(qū)時(shí)間，但是實(shí)際中主要還是取決于散熱和電流，不提散熱和電流張開(kāi)就問(wèn)開(kāi)關(guān)頻率
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