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  • PMOS用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-07-28 19:40:04
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    PMOS用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用解析
    pmos電源開(kāi)關(guān)
    PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開(kāi)關(guān)這種場(chǎng)合?大部分都是從工藝,導(dǎo)通電阻 Rds 來(lái)解釋?zhuān)S著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,現(xiàn)今的 PMOS 與 NMOS 之間差距已經(jīng)不大了,從 SOT-23 的封裝來(lái)看,兩者的大小也是差不多的。個(gè)人覺(jué)得,PMOS 用于電源開(kāi)關(guān)更多是為了方便控制。
    PMOS用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用
    上電控制:
    軟件控制系統(tǒng)上電、下電、不同模式之間切換,一般通過(guò)控制 NMOS 進(jìn)而 PMOS 開(kāi)關(guān);
    PMOS 電源開(kāi)關(guān)
    此種設(shè)計(jì)方式也可以用于多種模式之間的切換,通過(guò)不同模式來(lái)操作 NMOS ,一路 NMOS 的開(kāi)關(guān)決定了一個(gè)模式,從而打開(kāi) PMOS 。
    電源開(kāi)關(guān)選擇 PMOS (上圖Q1) 的原因:
    因?yàn)?PMOS 是 Vgs < 0 時(shí),D、S 之間導(dǎo)通,而 PMOS 的源極 (S) 經(jīng)常接著是要通過(guò)的電壓,比如電池的 3.7V~4.2V,這樣只需柵極 (G) 的電壓一定范圍小于源極的電壓,PMOS 就可以導(dǎo)通,經(jīng)常使用如上圖,通過(guò)一個(gè) NMOS 下拉到地,打開(kāi) PMOS。
    而如果采用 NMOS 作為電壓的開(kāi)關(guān)的話(huà),困難就比較大,因?yàn)?NMOS 的開(kāi)啟電壓Vgs = (Vg-Vs) > 0,就要求 NMOS 的柵極電壓要大于源極的電壓,
    這樣在一個(gè)系統(tǒng)下,經(jīng)常是降壓比較多的,就不容易找到一個(gè)比連接 NMOS 的源極還跟高的電壓,所以導(dǎo)通電壓常用 PMOS。采用 NMO S也是可以的,只是不如 PMOS 方便控制。
    電池防反接:
    如下圖:上電瞬間,PMOS 管的寄生二極管導(dǎo)通,系統(tǒng)形成回路,源極 S 的電位大約為 Vbat-0.6V,而柵極 G 的電位為0,MOS管的開(kāi)啟電壓極為:Ugs = 0 -(Vbat-0.6),柵極表現(xiàn)為低電平,Vgs < 0,PMOS 的 DS 導(dǎo)通,系統(tǒng)通過(guò) PMOS 的 DS 接入形成回路。
    PMOS 電源開(kāi)關(guān)
    PMOS 電源開(kāi)關(guān)
    如上圖,USB 上電與 Battery 供電的切換。PMOS Q1 柵極接一個(gè)下拉電阻,防止 MOS 管柵極處于懸空,在電池供電的模式,PMOS 的柵極穩(wěn)定提供一個(gè)低電平,保證 Vgs < 0,打開(kāi) MOS 管,形成完整回路。
    模塊電源開(kāi)關(guān):
    一些在低功耗場(chǎng)景,或者說(shuō)設(shè)備(或者IC)只有在工作的時(shí)候才上電,空閑狀態(tài)斷開(kāi)電源,也可以選用 PMOS 來(lái)開(kāi)關(guān),如下圖:
    PMOS 電源開(kāi)關(guān)
    圖,PMOS 的源極(S)接模塊的輸入電源,漏極(D)接模塊的電源,當(dāng)需要模塊上電工作的時(shí)候,通過(guò)主控(MCU)在 PMOS 稍微柵極(G)設(shè)置一個(gè)低電平輸出,使得 PMOS 的開(kāi)啟電壓 Vgs = Vg - Vs < 0,打開(kāi) PMOS ,模塊上電。
    通過(guò)這樣的切換,可以避免外接模塊始終處于上電狀態(tài),而是需要進(jìn)入工作狀態(tài)才上電,靈活控制模塊的上電下電。
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