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  • 平面MOSFET和超級結MOSFET的區(qū)別
    • 發(fā)布時間:2023-04-20 17:57:18
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    平面MOSFET和超級結MOSFET的區(qū)別
    功率晶體管
    近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。
    可以看出,Si-MOSFET在這個比較中,導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件下,高速工作表現(xiàn)更佳。
    平面 超級結 MOSFET
    平面MOSFET與超級結MOSFET
    Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之,就是在功率晶體管的范圍,為超越平面結構的極限而開發(fā)的就是超級結結構。
    如下圖所示,平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時,漂移層會增厚,存在導通電阻增加的課題。而超級結結構是排列多個垂直PN結的結構,可保持耐壓的同時降低導通電阻RDS(ON)與柵極電荷量Qg。
    平面 超級結 MOSFET
    另外,內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復時間trr是作為晶體管的關斷開關特性的探討項目。
    如下面的波形圖所示,基本上超級結MOSFET的PN結面積比平面MOSFET大,因此與平面MOSFET相比,具有trr速度更快、但irr較多的特性。
    平面 超級結 MOSFET
    這種特性作為超級結MOSFET的課題在不斷改善,因其高速性和低噪聲特征,超級結MOSFET有一些變化。
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