MOS柵源(G-S)極下拉電阻有什么作用?
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以?xún)?chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。
在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱(chēng)為柵極電阻。
作用1：為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;
作用2：起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S)。
首先第一個(gè)，“偏置電壓”：
我們知道MOSFET一般柵極電壓比源極電壓高出一定的電壓，才能夠讓其開(kāi)啟，這里的電壓差被稱(chēng)為門(mén)源電壓。
假使在這里沒(méi)有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會(huì)因?yàn)殡S著負(fù)載電流的變化而變化，導(dǎo)致門(mén)源電壓出現(xiàn)變化，從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。
當(dāng)加入電阻以后，電阻會(huì)通過(guò)電壓降來(lái)微MOSFET提供一個(gè)穩(wěn)定的偏置電壓，穩(wěn)定 MOSFET 的工作狀態(tài)。
第二個(gè)作用的原理分析，保護(hù)柵極G~源極S，場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極。這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。
MOSFET柵極（G）-源極（S）的下拉電阻詳細(xì)解釋
MOSFET是高阻抗器件，在柵極（G）和源極（S）之間，存在一層絕緣體，即二氧化硅（SiO2）。MOS管有一個(gè)米勒效應(yīng)，我們?yōu)榱吮苊夤茏娱L(zhǎng)時(shí)間停留在一個(gè)米勒平臺(tái)上，會(huì)選擇加速M(fèi)OS管的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)的損耗。
一旦MOSFET驅(qū)動(dòng)異常，米勒電容可能會(huì)通過(guò)電流給柵極（G）和源極（S）充電，接著小電流高阻抗對(duì)應(yīng)著高電壓，柵極電壓被充電，如若超過(guò)門(mén)檻電壓“Vgs(th)”，則易導(dǎo)致MOSFET重新開(kāi)通，這是十分危險(xiǎn)的。
下拉電阻對(duì)電荷的泄放路徑
此外，當(dāng)MOSFET用于開(kāi)關(guān)電路時(shí)，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，如果柵極電壓沒(méi)有及時(shí)降下來(lái)，極易導(dǎo)致MOSFET處于部分導(dǎo)通狀態(tài)，隨后產(chǎn)生大量的熱量，造成MOSFET損壞。再柵極（G）和源極（S）之間增加一個(gè)適當(dāng)?shù)南吕娮瑁軌蚱鸬郊涌鞏艠O電壓的下降速度的作用，從而保護(hù)MOSFET。
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