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  • MOS管的開關(guān)損耗計算介紹
    • 發(fā)布時間:2024-08-03 18:32:10
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    MOS管的開關(guān)損耗計算介紹
    開關(guān)損耗計算
    1、CCM 模式開關(guān)損耗
    CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
    1.1 導(dǎo)通時的開關(guān)損耗
    CCM 模式下,開關(guān)的導(dǎo)通時的電流與電壓波形如圖 1 所示。
    MOS管開關(guān)損耗
    根據(jù)數(shù)據(jù)給出的原理:當(dāng)MOS 管接感性負(fù)載時,當(dāng)電流變化時,電壓保持不變;當(dāng)電壓變化時,電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計算MOS 管的導(dǎo)通時的開關(guān)損耗平均值,可得開關(guān)導(dǎo)通時的開關(guān)損耗為:
    MOS管開關(guān)損耗
    使用積分計算方法的如下:
    MOS管開關(guān)損耗
    1.1.1 CCM 下反激式開關(guān)電源損耗公式
    電流的確定
    先讓我們回顧一下 CCM 模式下輸入電感的電流波形,如圖 2 所示。
    MOS管開關(guān)損耗
    由圖 2 可知:I2 為MOS 管導(dǎo)通時的電流,I3 為MOS 管的最大電流。眾所周知,反激式開關(guān)電源導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換時間是納秒級的,而導(dǎo)通時間是微秒級的,所以導(dǎo)通時的開關(guān)損耗公式中的I4=I2。
    Vds 電壓的確定
    反激電路框圖如圖 3 所示。
    MOS管開關(guān)損耗
    在確定 Vds 電壓之前,需要確定幾點(diǎn)原則:
    (1)變壓器中有能量時,輸入繞組、輸出繞組至少有一個有電流流過或者兩個都有(電流是變壓器有能量的表現(xiàn));
    (2)輸出二極管導(dǎo)通是需要電壓的,也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf;
    (3)電感電流不能突變。
    由于電感電流不能突變,輸出繞組必須維持D1 導(dǎo)通的電壓來使電流迅速下降,然后才是輸出繞組電壓方向。所以導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程中Vds=Vin+Vor。CCM 模式下,反激電源中MOS管導(dǎo)通時的開關(guān)損耗公式為:
    MOS管開關(guān)損耗
    Vor 為初級繞組上的反射電壓。
    再次申明:CCM 模式下的反激式電源,MOS 管導(dǎo)通時的開關(guān)損耗計算公式中電壓為(Vin+Vor),而電流為最小電流I2。
    1.2 關(guān)斷時的開關(guān)損耗
    關(guān)斷轉(zhuǎn)換過程中的電壓電流波形如圖 4 所示。
    MOS管開關(guān)損耗
    根據(jù)數(shù)據(jù)給出的原理:當(dāng)MOS 管接感性負(fù)載時,當(dāng)電流變化時,電壓保持不變;當(dāng)電壓變化時,電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計算MOS 管的關(guān)斷時的開關(guān)損耗平均值,可得開關(guān)關(guān)斷時的開關(guān)損耗為:
    MOS管開關(guān)損耗
    與前面計算開關(guān)導(dǎo)通時的開關(guān)損耗非常相識,看確有本質(zhì)的不同。
    1. 電流
    在正常的反激式開關(guān)電源設(shè)計中,開關(guān)電源導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換時間是納秒級的,而導(dǎo)通時間是微秒級的,所以導(dǎo)通時的開關(guān)損耗公式中的Id=I3(電流I3 如圖 2 所示)。
    2. 電壓Vds
    先上一個反激式漏極尖峰電壓吸收電路,如圖 5 所示,其中的紅色部分。
    MOS管開關(guān)損耗
    在確定 Vds 電壓之前,需要確定幾點(diǎn)原則:
    (1)變壓器中有能量時,輸入繞組、輸出繞組至少有一個有電流流過或者兩個都有(電流是變壓器有能量的表現(xiàn));
    (2)輸出二極管導(dǎo)通是需要電壓的,也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf;
    (3)電感電流不能突變。
    有上面的三原則可知,輸出繞組的電壓先上升至Vo,然后輸出整流管D1 導(dǎo)通,這個時候初級的電感電流急劇下降,輸出繞組電流相應(yīng)上升。而初級漏感尖峰電壓上升速度比納秒級還小,所以可以得出:開關(guān)關(guān)斷過程損耗計算公式中電壓應(yīng)該為輸入電壓、電容C 兩端電壓之和。
    MOS管開關(guān)損耗
    Vc 為電壓尖峰電路中電容的吸收電壓,其中不僅包含反射電壓,還有漏感導(dǎo)致的尖峰電壓。I3 是輸入電感上面的峰值電流。
    2. DCM 模式的開關(guān)損耗
    DCM 模式是幾乎沒有導(dǎo)通轉(zhuǎn)換的交越階段損耗,因為這個時候的輸入電流幾乎是為零的。但是還是有關(guān)斷交越階段的損耗,這個與前面的 CCM 模式下的一樣。
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