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p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體解析(形成、定義、區(qū)別)
2020-05-16
p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體解析(形成、定義、區(qū)別)p型半導(dǎo)體概述p型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入微
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MOS管與IGBT管有什么區(qū)別
2020-05-15
MOS管與IGBT管有什么區(qū)別在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
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MOS管輸出特性曲線-方程分析
2020-05-15
MOS管輸出特性曲線-方程分析MOS管輸出特性曲線詳解，我們知道，三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的，所以說(shuō)三極管是電流控制電流的器件。
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mos管的電路符號(hào)解析-簡(jiǎn)單看明白電路符號(hào)
2020-05-15
mos管的電路符號(hào)解析-簡(jiǎn)單看明白電路符號(hào)mos管的電路符號(hào)詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或
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數(shù)字萬(wàn)用表分析-數(shù)字萬(wàn)用表的四種妙用方法
2020-05-15
數(shù)字萬(wàn)用表分析-數(shù)字萬(wàn)用表的四種妙用方法數(shù)字萬(wàn)用表簡(jiǎn)介數(shù)字萬(wàn)用表，一種多用途電子測(cè)量?jī)x器，一般包含安培計(jì)、電壓表、歐姆計(jì)等功能，有
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電動(dòng)車控制器重要節(jié)點(diǎn)-MOS管成電動(dòng)車未來(lái)發(fā)展關(guān)鍵詳情
2020-05-15
電動(dòng)車控制器重要節(jié)點(diǎn)-MOS管成電動(dòng)車未來(lái)發(fā)展關(guān)鍵詳情電動(dòng)車控制器是用來(lái)控制電動(dòng)車電機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行、進(jìn)退、速度、停止以及電動(dòng)車的其它電
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碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳情
2020-05-15
碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳情碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)？（一）開(kāi)關(guān)損耗碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)，下圖1是1200V HighSpeed3 IGB
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MOS管源極與漏極可以互換嗎-三極管與MOS做開(kāi)關(guān)時(shí)有何區(qū)別
2020-05-15
MOS管源極與漏極可以互換嗎-三極管與MOS做開(kāi)關(guān)時(shí)有何區(qū)別場(chǎng)效應(yīng)管D極與S極能否隨意互換？場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵
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MOS管擊穿-MOS管擊穿分析
2020-05-14
MOS管擊穿-MOS管擊穿分析MOS管擊穿有哪些?場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G。先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，
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為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流與飽和區(qū)電流公式
2020-05-14
為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流與飽和區(qū)電流公式隨著漏源電壓不斷增大，當(dāng)達(dá)到夾斷電壓時(shí)，溝道厚度在漏極處減薄為零，溝道在漏極處
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如何理解場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-解讀MOS管參數(shù)
2020-05-14
如何理解場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-解讀MOS管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ju
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碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核與驅(qū)動(dòng)要求和特性詳解
2020-05-14
碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核與驅(qū)動(dòng)要求和特性詳解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET